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      1. 首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 > 失效分析>5G通信 > 芯片分析5G大規(guī)模集成電路芯片失效分析CNAS認(rèn)證

        5G大規(guī)模集成電路芯片失效分析CNAS認(rèn)證

        簡(jiǎn)要描述:

        廣電計(jì)量擁有專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備,對(duì)大規(guī)模集成電路可提供無(wú)損分析、電特性/電性定位分析、破壞性分析、微觀顯微分析等失效分析測(cè)試、5G大規(guī)模集成電路芯片失效分析CNAS認(rèn)證。

        瀏覽量:1833

        更新日期:2025-03-19

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        5G大規(guī)模集成電路芯片失效分析CNAS認(rèn)證
        品牌廣電計(jì)量服務(wù)區(qū)域全國(guó)
        服務(wù)周期常規(guī)3-5天服務(wù)類型元器件篩選及失效分析
        服務(wù)資質(zhì)CMA/CNAS認(rèn)可證書報(bào)告中英文電子/紙質(zhì)報(bào)告
        增值服務(wù)可加急檢測(cè)是否可定制
        是否有發(fā)票

        5G大規(guī)模集成電路芯片失效分析CNAS認(rèn)證服務(wù)范圍

        大規(guī)模集成電路芯片


        檢測(cè)項(xiàng)目

        (1)無(wú)損分析:X-Ray、SAT、OM 外觀檢查。

        (2)電特性/電性定位分析:IV 曲線量測(cè)、Photon Emission、OBIRCH、ATE 測(cè)試與三溫(常溫/低溫/?溫)驗(yàn)證。

        (3)破壞性分析:塑料開封、去層、板級(jí)切片、芯片級(jí)切片、推拉力測(cè)試。

        (4)微觀顯微分析:DB FIB 切片截面分析、FESEM 檢查、EDS 微區(qū)元素分析。


        相關(guān)資質(zhì)

        CNAS


        5G大規(guī)模集成電路芯片失效分析CNAS認(rèn)證服務(wù)背景

        隨著國(guó)家在5G通信領(lǐng)域的快速發(fā)展,我國(guó)5G通信技術(shù)的自主化腳步也越走越快,集成電路開始向著芯片設(shè)計(jì)研發(fā)的方向發(fā)展,芯片結(jié)構(gòu)和制造工藝也日益復(fù)雜,如何快速準(zhǔn)確地定位失效,找到失效根源變成了一個(gè)非常重要的課題和挑戰(zhàn)。


        我們的優(yōu)勢(shì)

        廣電計(jì)量擁有專家團(tuán)隊(duì)及先進(jìn)的失效分析設(shè)備,可為客戶提供完整的失效分析檢測(cè)服務(wù),幫助制造商快速準(zhǔn)確地定位失效,找到失效根源,助力5G通信快速穩(wěn)步發(fā)展。同時(shí),可針對(duì)客戶的研發(fā)需求,提供不同應(yīng)?下的失效分析咨詢、協(xié)助客戶開展實(shí)驗(yàn)規(guī)劃、以及分析測(cè)試服務(wù)。如配合客戶開展NPI階段驗(yàn)證,在量產(chǎn)階段(MP)協(xié)助客戶完成批次性失效分析。

         

         

         

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